旧？A12のパワーアンプの基板 - kkumax
2023/07/26 (Wed) 13:25:59
以前にRenew A12 アンプ基板基板を頒布していただいて
組み立て動作試験を行ったところまったく安定せず
挙句に出力トランジスタを飛ばしてしまって
お蔵入りしていたという経緯がありました。
今回再度A12基板が記事に取り上げられたのを見て
何でかなぁと再度組み立て説明書を読み直し
今回の記事を読ませていただいて回路図の出力段のエミッタ抵抗値を見て
あららもしかしてぇ〜と思いR9,10を0.47Ωから2.2Ωへ変更して見ました。
過熱もドリフトも嘘のように無くなり音が出て来ました！
出力トランジスタをTIP31C、TIP32Cにしていたのですが
欲張りすぎだったのかなぁと(笑)
Re: 旧？A12のパワーアンプの基板 - ヒロ
2023/07/26 (Wed) 18:20:20
＞挙句に出力トランジスタを飛ばしてしまって
バイアス電流が大きすぎたとか、熱暴走したとかではないでしょうか？バイアス電圧発生用のトランジスタとは熱結合有でしょうか？エミッタ抵抗を大きくすると、バイアス電流が増大したときのエミッタ抵抗での電圧降下も大きくなり熱暴走の抑制になります。
Re: 旧？A12のパワーアンプの基板 - kkumax
2023/08/04 (Fri) 21:02:59
m(_ _)m レスが遅くなりました。
＞バイアス電圧発生用のトランジスタとは熱結合有でしょうか？
申し訳ないです。
どのトランジスタ同士を熱結合すればよいか？
分からない初心者です。
もしQ15 Q16だったらどう実装するか...うーんです。
回路図画像をあげさせていただきますので
教えていただけないでしょうか？
加えてそのトランジスタ同士はhfeを揃えた方が良いでしょうか？
Re: 旧？A12のパワーアンプの基板 - ヒロ
2023/08/05 (Sat) 00:56:06
Q14をQ17とQ18に熱結合です。トランジスタと共締めでもいいですし、放熱板に取り付けてもいいでしょう。Q14のhFEはなんでもかまいません。